تولید ویفر گرافنی در مالزی به صورت انبوه

در بیانیه این شرکت آمده است که این دستاورد جدید می‌تواند توانایی صنعت الکترونیک را در حرکت در مسیر زنجیره ارزشی افزایش داده و منجر به ساخت ادوات الکترونیک و محصولاتی با ارزش افزوده بالا در بخش اینترنت اشیاء شود.

وان ازلی، قائم مقام بخش الکترونیک شرکت میموس سمیکانداکتور، می‌گوید که این فناوری جدید با قیمت پایین می‌تواند فیلم‌های گرافنی با خلوص بالا تولید کند که استفاده از آنها کیفیت محصول نهایی را تضمین می‌کند.

برناما از شرکت میموس سمیکانداکتور می‌گوید: «این فناوری برای تولید نسل جدید نیمه‌هادی‌ها، شناساگرهای نوری، ادوات انرژی، الکترونیک انعطاف‌پذیر و نانوحسگرهای قابل پوشیدن مزیت‌های زیادی دارد. این دستاورد ما را می‌توان اولین و تنها تولیدکننده ویفر گرافنی 8 اینچی در مالزی قلمداد کرد.»

پیش از این خبرهایی درباره تولید ویفر گرافنی 4 اینچی توسط محققان کره‌ای منتشر شده بود. آنها روشی ساده و قابل انطباق با صنعت میکروالکترونیک برای رشد گرافن ارائه کردند و در نهایت محصولی در ابعاد ویفر، 4 اینچ، ارائه کردند. این محصول چند لایه‌ای، با کیفیت بالا و روی زیرلایه سیلیکونی تشکیل می‌شود.

محققان برای تولید گرافن در این روش از کاشت یونی استفاده کردند که در آن از یون‌های شتاب‌یافته تحت میدان الکتریکی استفاده شده است. یون‌های برخورد کننده با سطح می‌توانند خواص فیزیکی، شیمیایی و الکتریکی سطح را تغییر دهند. معمولاً از CVD برای تولید گرافن استفاده می‌شود، اما دمای بالا در این روش مشکلاتی ایجاد می‌کند. همچنین انتقال گرافن از زیرلایه به محل مورد نظر موجب پارگی گرافن می‌شود. به همین دلیل محققان از روشی بی‌نیاز از انتقال استفاده کردند، به طوری که گرافن به‌صورت مستقیم روی سطح مورد نظر ایجاد می شود.

در این روش، یون‌های کربن شتاب ‌داده می‌شوند تا روی زیرلایه مورد نظر، نیکل، سیلیکون یا دی‌اکسید سیلیکون قرار گیرد. این فرآیند در دمای 500 درجه سانتیگراد انجام می‌شود.